学生奖获奖者

2020第62届电子材料大会

  • Evyn丰盛(海报)“提高设备质量x遗传算法x - 1N模板(0.07 < x < 0.10)用于光电应用,”北卡罗来纳州立大学顾问Nadia El-Masry和Salah Bedair

2019年第61号电子材料会议

密歇根大学

  • Zixuan冯,“LPCVD生长Si掺杂β-Ga2O3薄膜具有优越的室温流动性”,指导老师赵宏平,俄亥俄州立大学

  • Anisha卡尔拉“基于AL0.40GA0.60N的P-I-N紫外线探测器”记录高零偏压外部量子效率为88%,“纳米科学和工程中心(Cense),纳米科学和工程中心(Cense)中心,顾问Digbijoy N. Nath和Srinivasan Raghavan

  • maxkneiß.(海报)“κ-Ga的外延稳定2O3.和κ- (Alx遗传算法1-x2O3.“不同衬底上锡辅助PLD用于异质结构器件的薄膜”,Felix Bloch固体物理研究所物理与地球科学学院的Marius Grundmann和Holger von Wenckstern顾问,Universität Leipzig

  • debarghya sarkar.,“使用外延和非外延方法的组合”使用外延和非外延方法的组合“直接生长结晶III-Vs”,南加州大学顾问雷汉卡帕迪亚

2018第60届电子材料大会

加州大学圣巴巴拉

  • 布莱恩·海德特“利用电子沟道对比成像直接观察GaAs/Si薄膜中复合增强位错滑移”,导师Kunal Mukherjee,加州大学圣巴巴拉分校
  • Anisha卡尔拉(海报)“高响应外延β-Ga的演示2O3./GaN金属-异质结-金属(MHM)宽带UV-A/UV-C探测器,”印度科学院纳米科学与工程中心的Digbijoy N. Nath和Srinivasan Raghavan顾问
  • Kyle McNicholas.,“SI上的无菌发光层的BGAAS / GAP杂志”,奥斯汀德克萨斯大学顾问Seth Bank

2018年NIST不确定性分析学生奖得主

加州大学圣巴巴拉

  • Jimy enChendero.,“共振隧穿传输作为iii -氮化物隧穿异质结构内部极化场的灵敏测量”,Huili Grace Xing,康奈尔大学导师

2017第59届电子材料大会

圣母大学

  • 名叫Akanksha古普塔“脂膜和氧化锌薄膜晶体管的生物传感器,”宾夕法尼亚州立大学顾问Esther Gomez和Thomas Jackson
  • Kamyar艾哈迈迪Majlan,“直接集成在Si上的相关氧化物异质结构的厚度依赖金属-绝缘体过渡”,顾问Joseph H. Ngai,德克萨斯大学阿灵顿分校

2017 NIST不确定性分析学生奖获得者

圣母大学

  • 罗伯特轮,“Bulk GaN的热导率”,北卡罗莱纳州立大学顾问Zlatko Sitar

2016年第58号电子材料会议

特拉华大学

  • 科里·c·bomberg,“外延嵌入GaBiAs内的ErAs纳米粒子的生长和表征”,导师Joshua Zide,特拉华大学

  • 丹尼尔·艾恩赛德,“奥斯汀大学德克萨斯大学顾问扫雷银行III-V中稀土单杆状纳米结构的最佳整合

  • 杰弗里·e·普“通过调节分子分子,分子 - 底物和分子 - 溶剂互动,”普林斯顿大学顾问·林··洛克,“遍历核氯化萘二亚胺的多晶景观。”

  • 雷张,“指间背接触硅异质结太阳能电池间隙钝化的界面缺陷密度与材料界面电荷的比较”,导师Steven Hegedus,特拉华大学

2016 NIST不确定性分析学生奖获得者

特拉华大学

  • 乔纳森·马里尼纽约州立理工学院教授Fatemeh (Shadi) shahedipoure - sandvik,“脉冲MOCVD生长n -极性p-GaN中Mg掺杂剂的掺入效率”

2015年第57号电子材料会议

俄亥俄州州立大学

  • 蓝宇伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校的顾问丹尼尔·瓦色尔曼(Daniel Wasserman)说,“在InAs(Sb)上的In(Ga)Sb层的中红外发射”
  • 张曾,“由氨基分子束外延和金属有机化学气相沉积的P型GaN中的深层状态,”俄亥俄州州立大学顾问

2015年NIST不确定性分析学生奖得主

俄亥俄州州立大学

  • Katherine Kragh-Buetow,“p型和n型4H-SiC的钨镍同步欧姆接触的表征”,宾夕法尼亚州立大学顾问Suzanne Mohney

2014第56届电子材料大会

加州大学圣巴巴拉

  • 艾伦·刘,“记录基于GaAs的激光在硅上长大的激光,”顾问John Bowers and Art Gossard,加州大学圣巴巴拉大学
  • 斯科特·马多克斯,“生长速率,衬底温度和生物表面活性剂对INA的掺杂限值的影响:Si由分子束外延,”奥斯汀德克萨斯大学顾问
  • 凯文舒尔德威斯康辛大学麦迪逊分校顾问Thomas Kuech,“控制氢化物气相外延生长n-GaAs层中EL2掺入的关键因素”

2014 NIST不确定性分析学生奖得主

加州大学圣巴巴拉

  • Rusen严“悬浮金属氧化物中热导率的提取”2通过拉曼光谱,“顾问惠里格朗兴,巴黎圣母院大学

2013第55届电子材料大会

圣母大学

  • Mark T. Durniak.,“LED应用的立方GaN模板”,顾问Christian Wetzel,Rensselaer
  • 本杰明梁,“SiO的单晶GaN生长2耶鲁大学的顾问Jung Han说
  • 詹姆斯·r·莱利,“在量子阱中极、非极和半极的原子探针断层扫描”,西北大学导师林肯·劳洪

2012第54届电子材料大会

宾夕法尼亚州立大学

  • Santino Carnevale,“紫外电致发光宽带隙纳米线极化诱导pn二极管”,俄亥俄州立大学导师Roberto Myers
  • 哈奈尔,“热退火诱导gasb基稀释氮化物的光学质量增强”,顾问Seth Bank,得克萨斯大学奥斯汀分校
  • 克里斯托弗Yerino,“拉伸应变III-V量子点(110)表面:形态和光学特性,”耶鲁大学顾问Minjoo Larry Lee

2011第53届电子材料大会

加州大学圣巴巴拉

  • 杨洁,“使用原子层沉积调整等离子体腔共振,”哈佛大学顾问Evelyn Hu
  • 约书亚·夏皮罗,“由选择性区域MOCVD种植的GaAs催化剂无纳米粒子的Ingaas轴向插入的结构表征,”洛杉矶大学加州大学戴安娜霍夫克

2010第52届电子材料大会

圣母大学

  • 阿施施Baraskar加州大学圣巴巴拉分校的Mark Rodwell和Arthur Gossard顾问,“在原位欧姆接触到p-InGaAs”
  • 安东尼大米,“Mocvd种植的同源型Aln薄膜的形态学发展,”北卡罗来纳州立大学Zlatko Sitar
  • 詹姆斯莱西,“Ge-Ge/Co/Mn的脉冲激光原子探针层析分析”,西北大学导师Lincoln Lauhon

2009第51届电子材料大会

宾夕法尼亚州立大学

  • Sebastien文森特基于储氢和扩散机制的界面粘结缺陷的形成,演化和溶解研究,“顾问韦伯特·雷伯尔(Instituthnique De Grenoble)
  • 约翰西蒙,“极化增强的p型电导率在梯度n面AlGaN板”,顾问Debdeep Jena,美国诺特丹大学
  • 查尔斯·布鲁克斯分子束外延的同质钛酸锶薄膜的生长和微观结构,宾夕法尼亚州立大学顾问Darrell Schlom
  • Shriram Shivaraman,“外延石墨烯微桥”,导师Michael Spencer,康奈尔大学

2008第50届电子材料大会

加州大学圣巴巴拉

  • j . Pedrazzani,“未钝化红外光电探测器表面泄漏电流的虚拟消除”,罗彻斯特大学导师Gary Wicks

2007第49届电子材料大会

圣母大学

  • 迈克尔森,“单片可见黄绿光发射器的格子工程”,导师Eugene A. Fitzgerald,麻省理工学院
  • 安德里亚Corrion“GaN缓冲层对高电子移动晶体管氨分子束外延的6H-SiC的性质,”加州大学圣巴巴拉加州大学顾问吉姆斑点
  • 李Mosbacker,“使用深度分辨的阴离子发光光谱,”ZnO对散装天然点缺陷和金属反应性的相关性,“俄亥俄州州立大学顾问Len Brillson

2006年第48号电子材料会议

宾夕法尼亚州立大学

  • Shadi Dayeh,“OMVPE综合,德国·德里王和宇,加利福尼亚大学
  • 内森Yoder),“用低温UHV-STM研究与半导体表面结合的有机分子的稳定性”,西北大学导师Mark C. Hersam
  • 小东陈,“在分子束外延期间直接写入Ingan的图案化,”康奈尔大学顾问赛德曼顾问

2005第47届电子材料会议

加州大学圣巴巴拉

  • Eric Krauland,“无机材料表面肽特异性的组成和环境影响”,导师Angela Belcher,麻省理工学院
  • 克丽丝汀Poblenz,“AlN成核层生长条件对分子束外延生长的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管缓冲液的影响,”加州大学Chifornia,Santa Barbara
  • 内特Quitoriano,“在GaAs上的金属有机化学气相沉积的INP晶格常数附近的晶格子常数的变质缓冲层的缺陷行为,”Massachusetts理工学院顾问Gene Fitzgerald
  • Siddharth Rajan.,“MBE在c面SiC上生长n面GaN的结构和电学特性”,导师Umesh Mishra,加州大学圣巴巴拉分校

2004第46届电子材料大会

圣母大学

  • 杰夫·格里森,“Gamnas电影中点缺陷分布的纳米尺度研究”,“密歇根大学Rachel Goldman顾问
  • Tihomir Gugov.(分子束外延)“透射电子显微镜结构表征的增益和Gainnassb量子井”,斯坦福大学顾问Jim Harris
  • 杰西卡·希尔顿,在GaAs(001)上的超薄MN薄膜的反应动力学,热力学和生长特性,“明尼苏达大学顾问克里斯掌
  • Vincenzo Lordi,“1550 nm左右的GaInNAsSb量子阱的电吸收和带边光学特性”,斯坦福大学导师Jim Harris

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