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电子材料科学和技术
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有机材料、薄膜和器件
氧化物半导体和电介质
宽带隙半导体
第62届电子材料大会(EMC 2020)
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学生奖得主
学生奖得主
2020 62 ND电子材料会议
Evyn Routh.
,(海报)“设备质量
X
GA.
X-1
N模板(0.07
2019年第61届电子材料大会
密歇根大学
Zixuan Feng.
,“LPCVD SI掺杂β-GA2O3薄膜具有高级室温迁移率,”俄亥俄州州立大学的顾问Zhing Zhao
anisha kalra
,“Al0.40Ga0.60N基p-i-n紫外探测器的高零偏外量子效率创下88%,”印度科学研究所纳米科学与工程中心(CENE)顾问Digbijoy n.Nath和SrinivasanRaghavan
马克斯·克内伊
,(海报)“κ-ga的外延稳定
2
O.
3.
和κ-(al
X
GA.
1-
X
的)
2
O.
3.
异质结构装置的薄膜通过锡辅助PLD在不同的基板上,“顾问Marius Grundmann和Holger Von Wenckstern,UniversitätLeipzig,物理和地球科学学院,Felix Bloch Solid State Physics研究所
德巴希亚萨卡酒店
“使用Epitaxial和非外延方法相结合,直接生长晶体III与非晶电介质”,Rehan Kapadia教授,南加州大学
2018年第60届电子材料会议
加利福尼亚大学Santa Barbara分校
布莱恩希盖特
,使用电子通道对比影像直接观察GaAs / Si薄膜中的重组增强位错滑动,“Santa Barbara加州大学顾问Kunal Mukherjee
anisha kalra
,(海报)“高响应性外延β-GA的示范
2
O.
3.
/ GaN金属 - 异质结 - 金属(MHM)宽带UV-A / UV-C探测器,“Advisors Digbijoy N. Nath和Srinivasan Raghavan,纳米科学与工程中心(Cense),印度科学研究所
凯尔·麦克尼古拉斯
得克萨斯大学奥斯汀分校的顾问塞思Bank:“硅上无应变发光层的BGaAs/GaP异质外延”
2018 NIST不确定性分析学生奖得主
加利福尼亚大学Santa Barbara分校
吉米·安科门德罗
,“谐振隧道运输作为III - 氮化物隧道异质结构中的内部偏振场的敏感测量,”康奈尔大学顾问惠里格朗兴
2017年第59号电子材料会议
巴黎圣母院大学
Akanksha Gupta,
“基于脂膜和氧化锌薄膜晶体管的生物传感器”,宾夕法尼亚州立大学的顾问Esther Gomez和Thomas Jackson说
kamyar ahmadi majlan,
“厚厚的依赖金属 - 绝缘子过渡直接综合整合,”德克萨斯大学德克萨斯州阿灵顿大学顾问Joseph H. Ngai
2017 NIST不确定性分析学生奖得主
巴黎圣母院大学
罗伯特回族
,“散装Gan的热导率,”北卡罗来纳州立大学顾问Zlatko Sitar
2016年第58届电子材料大会
德拉瓦大学
Cory C. Bomberger.
,“Eras纳米颗粒的生长和表征在加巴里亚斯议程顾问,顾问Joshuare大学
丹尼尔愚蠢
“III-V族稀土单光子纳米结构在高光学质量应用中的最佳集成”,得克萨斯大学奥斯汀分校顾问塞思银行
Geoffrey E. Purdum.
,“通过调节分子-分子、分子-底物和分子-溶剂相互作用,穿越核心氯化萘二亚胺的多晶景观”,普林斯顿大学顾问Lin Loo
张磊
,“比较界面缺陷密度VS材料界面电荷用于硅杂交函数的跨越硅杂交太阳能电池的间隙钝化,”特拉华大学顾问史蒂文·赫格德斯
2016 NIST不确定性分析学生奖得主
德拉瓦大学
Jonathan Milini.
,“Mg掺杂剂掺入效率在脉冲MOCVD生长的N极P-GaN,”顾问Fatemeh(Shadi)Shahedipour-Sandvik,Suny理工学院
2015年第57届电子材料大会
俄亥俄州立大学
兰玉
,“来自in in(ga)的中红外emisson in in is(sb),”伊利诺伊大学伊利诺伊州伊利诺伊州的顾问Daniel Wasserman
曾张
,“通过氨基分子束外延和金属有机化学气相沉积生长的p型GaN中的深能级态”,俄亥俄州立大学顾问Steve Ringel
2015 NIST不确定性分析学生奖得主
俄亥俄州立大学
凯瑟琳·克拉夫·布托
,“宾夕法尼亚州立大学颁发的钨 - 镍与N-型4H-SIC顾问的钨 - 镍与N-型欧姆·诺克尼州
2014年第56号电子材料会议
加利福尼亚大学Santa Barbara分校
艾伦刘
“在硅上外延生长GaAs基激光器的记录寿命”,加利福尼亚大学顾问John Bowers和阿特加索德,加利福尼亚大学,Santa Barbara
斯科特马丁多
“生长速率、衬底温度和双表面活性剂对分子束外延生长的InAs:Si掺杂限制的影响”,德克萨斯大学奥斯丁分校的顾问塞思银行
凯文·舒尔特
“控制氢化物液相外延”的N-GaAs层的el2掺入的关键因素,“威斯康星大学 - 麦迪逊校长托马斯库赫
2014年NIST不确定性分析学生奖得主
加利福尼亚大学Santa Barbara分校
r
,“在悬挂MOS中的导热率的提取
2
拉曼光谱:“圣母大学顾问Huili Grace Xing
2013年第55号电子材料会议
巴黎圣母院大学
马克·T·杜尼亚克
,“LED应用的立方氮化镓模板”,顾问Christian Wetzel,Rensselaer
本杰明梁
在sio2衬底上生长GaN单晶
2
通过进化选择,“杰尔大学顾问Jung Han
詹姆斯·莱利
,“极地,非极性和SemipoLar Ingan量子井的原子探测断层扫描,”西北大学林肯岛士顾问
2012年第54号电子材料会议
宾夕法尼亚州立大学
桑蒂诺卡内瓦酒店
,“偏振诱导的宽带间隙纳米线与紫外线电致发光,”俄亥俄州州立大学悉让迈尔斯顾问
哈里纳尔
,“热退火诱导光学质量增强瓦斯基稀氮化物,”奥斯汀德克萨斯大学顾问
克里斯托弗·莱里诺
,“在(110)表面上的拉伸应变III-V量子点:形态和光学性质”,耶鲁大学顾问Minjoo Larry Lee
2011年53号电子材料会议
加利福尼亚大学Santa Barbara分校
延梅凯蒂杨
,“利用原子层沉积调节等离子体腔共振”,哈佛大学顾问Evelyn Hu
约书亚夏皮罗
“选择区域MOCVD生长的GaAs无催化剂纳米柱中InGaAs轴向插入物的结构表征”,洛杉矶加利福尼亚大学的顾问Diana Huffaker
2010年第52届电子材料会议
巴黎圣母院大学
Ashish Baraskar.
,“原位欧姆联系到P-Ingaas,”顾问Mark Rodwell和Arthur Gossard,加利福尼亚大学圣巴巴拉
安东尼赖斯
,“MOCVD生长的同质外延AlN薄膜的形态发展”,北卡罗来纳州立大学顾问Zlatko Sitar
詹姆斯·瑞雷
,“GE-GE / CO / MN的脉冲激光原子探测断层分析”,“西北大学顾问林肯岛
2009年51号电子材料会议
宾夕法尼亚州立大学
塞巴斯蒂安文森特
,“基于储氢和扩散机制的界面结合缺陷的形成、演化和溶解研究”,格勒诺布尔理工学院顾问Hubert Renevier
约翰西蒙
,“偏振增强的P型电导率在等级的N-Face Algan Slabs中,”顾问Debdeep Jena,Notre Dame大学
查尔斯布鲁克斯
“宾夕法尼亚州立大学的分子束外延,”宾夕法尼亚州思想临界薄膜钛酸锶薄膜的生长和微观结构
Shriram Shivaraman.
,“外延石墨烯微桥,”康奈尔大学迈克尔斯宾塞顾问
2008年第50届电子材料会议
加利福尼亚大学Santa Barbara分校
J. Pedrazzani.
,“虚拟消除表面泄漏电流在未顺倒的IR光电探测器中,”Rochester大学顾问加里芯片
2007年49号电子材料会议
巴黎圣母院大学
迈克尔·莫利
,“格子工程为单片可见黄绿光发射器,”顾问Eugene A. Fitzgerald,马萨诸塞州理工学院
andrea corrion
“高电子迁移率晶体管氨分子束外延生长6H-SiC GaN Buffer Layers的性质”,加利福尼亚大学的顾问吉姆·斯派克,Santa Barbara
Lee Modbacker.
,“使用深度分辨阴极发光光谱法对ZnO上的本体本征点缺陷和金属反应性进行关联”,俄亥俄州立大学顾问Len Brillson
2006年第48届电子材料会议
宾夕法尼亚州立大学
Shadi Dayeh.
OMVPE合成的InAs Nanowires的生长机理和优化,圣地亚哥加利福尼亚大学的顾问德丽望和Edward T. Yu
内山yoder.
,“研究用低温UHV-STM与半导体表面结合的有机分子的稳定性,”西北大学顾问标记C. Hersam
陈晓东
,“分子束外延过程中InGaN的直写复合图案化”,康奈尔大学顾问Lester Eastman
2005年47号电子材料会议
加利福尼亚大学Santa Barbara分校
埃里克克拉努尔兰
“无机材料表面的肽特异性的组成和语境影响”,“马萨诸塞州理工学院顾问Angela Belcher
Christiane Poblenz.
“AlN形核层生长条件对分子束外延生长AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管缓冲区泄漏的影响”,加利福尼亚大学的顾问吉姆·斯派克,Santa Barbara
Nate Lainitoriano.
,“GaAs上金属有机化学气相沉积生长的InP附近晶格常数上变质缓冲层的缺陷行为”,麻省理工学院顾问Gene Fitzgerald
西德哈特·拉詹
,“由MBE的C-Face SiC成长的N-Face Ga的结构和电气特性,”Santa Barbara大学加州大学
2004年46号电子材料会议
巴黎圣母院大学
杰夫格里顿
“GAMNAS薄膜点缺陷分布的纳米尺度研究”,密歇根大学顾问Rachel Goldman
蒂霍米尔·古戈夫
,“通过分子束外延生长的GaInNAs和GaInNaSb量子阱的透射电子显微镜结构表征”,斯坦福大学顾问Jim Harris
杰西卡希尔顿
GaAs(001)上超薄Mn膜的反应动力学、热力学和生长特性,明尼苏达大学顾问Chris Palmstrom
Vincenzo Lordi.
,“斯坦福大学顾问Jim Harris左右1550 nm左右的Gainnassb量子井的电气制造和带边光学性质。
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学生奖得主
长官
程序
课程(PDF)
诉讼
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电子材料科学和技术
储能和转换材料
纳米科学与技术
有机材料、薄膜和器件
氧化物半导体和电介质
宽带隙半导体