学生奖得主

2020 62 ND电子材料会议

  • Evyn Routh.,(海报)“设备质量XGA.X-1N模板(0.07

2019年第61届电子材料大会

密歇根大学

  • Zixuan Feng.,“LPCVD SI掺杂β-GA2O3薄膜具有高级室温迁移率,”俄亥俄州州立大学的顾问Zhing Zhao

  • anisha kalra,“Al0.40Ga0.60N基p-i-n紫外探测器的高零偏外量子效率创下88%,”印度科学研究所纳米科学与工程中心(CENE)顾问Digbijoy n.Nath和SrinivasanRaghavan

  • 马克斯·克内伊,(海报)“κ-ga的外延稳定2O.3.和κ-(alXGA.1-X的)2O.3.异质结构装置的薄膜通过锡辅助PLD在不同的基板上,“顾问Marius Grundmann和Holger Von Wenckstern,UniversitätLeipzig,物理和地球科学学院,Felix Bloch Solid State Physics研究所

  • 德巴希亚萨卡酒店“使用Epitaxial和非外延方法相结合,直接生长晶体III与非晶电介质”,Rehan Kapadia教授,南加州大学

2018年第60届电子材料会议

加利福尼亚大学Santa Barbara分校

  • 布莱恩希盖特,使用电子通道对比影像直接观察GaAs / Si薄膜中的重组增强位错滑动,“Santa Barbara加州大学顾问Kunal Mukherjee
  • anisha kalra,(海报)“高响应性外延β-GA的示范2O.3./ GaN金属 - 异质结 - 金属(MHM)宽带UV-A / UV-C探测器,“Advisors Digbijoy N. Nath和Srinivasan Raghavan,纳米科学与工程中心(Cense),印度科学研究所
  • 凯尔·麦克尼古拉斯得克萨斯大学奥斯汀分校的顾问塞思Bank:“硅上无应变发光层的BGaAs/GaP异质外延”

2018 NIST不确定性分析学生奖得主

加利福尼亚大学Santa Barbara分校

  • 吉米·安科门德罗,“谐振隧道运输作为III - 氮化物隧道异质结构中的内部偏振场的敏感测量,”康奈尔大学顾问惠里格朗兴

2017年第59号电子材料会议

巴黎圣母院大学

  • Akanksha Gupta,“基于脂膜和氧化锌薄膜晶体管的生物传感器”,宾夕法尼亚州立大学的顾问Esther Gomez和Thomas Jackson说
  • kamyar ahmadi majlan,“厚厚的依赖金属 - 绝缘子过渡直接综合整合,”德克萨斯大学德克萨斯州阿灵顿大学顾问Joseph H. Ngai

2017 NIST不确定性分析学生奖得主

巴黎圣母院大学

  • 罗伯特回族,“散装Gan的热导率,”北卡罗来纳州立大学顾问Zlatko Sitar

2016年第58届电子材料大会

德拉瓦大学

  • Cory C. Bomberger.,“Eras纳米颗粒的生长和表征在加巴里亚斯议程顾问,顾问Joshuare大学

  • 丹尼尔愚蠢“III-V族稀土单光子纳米结构在高光学质量应用中的最佳集成”,得克萨斯大学奥斯汀分校顾问塞思银行

  • Geoffrey E. Purdum.,“通过调节分子-分子、分子-底物和分子-溶剂相互作用,穿越核心氯化萘二亚胺的多晶景观”,普林斯顿大学顾问Lin Loo

  • 张磊,“比较界面缺陷密度VS材料界面电荷用于硅杂交函数的跨越硅杂交太阳能电池的间隙钝化,”特拉华大学顾问史蒂文·赫格德斯

2016 NIST不确定性分析学生奖得主

德拉瓦大学

  • Jonathan Milini.,“Mg掺杂剂掺入效率在脉冲MOCVD生长的N极P-GaN,”顾问Fatemeh(Shadi)Shahedipour-Sandvik,Suny理工学院

2015年第57届电子材料大会

俄亥俄州立大学

  • 兰玉,“来自in in(ga)的中红外emisson in in is(sb),”伊利诺伊大学伊利诺伊州伊利诺伊州的顾问Daniel Wasserman
  • 曾张,“通过氨基分子束外延和金属有机化学气相沉积生长的p型GaN中的深能级态”,俄亥俄州立大学顾问Steve Ringel

2015 NIST不确定性分析学生奖得主

俄亥俄州立大学

  • 凯瑟琳·克拉夫·布托,“宾夕法尼亚州立大学颁发的钨 - 镍与N-型4H-SIC顾问的钨 - 镍与N-型欧姆·诺克尼州

2014年第56号电子材料会议

加利福尼亚大学Santa Barbara分校

  • 艾伦刘“在硅上外延生长GaAs基激光器的记录寿命”,加利福尼亚大学顾问John Bowers和阿特加索德,加利福尼亚大学,Santa Barbara
  • 斯科特马丁多“生长速率、衬底温度和双表面活性剂对分子束外延生长的InAs:Si掺杂限制的影响”,德克萨斯大学奥斯丁分校的顾问塞思银行
  • 凯文·舒尔特“控制氢化物液相外延”的N-GaAs层的el2掺入的关键因素,“威斯康星大学 - 麦迪逊校长托马斯库赫

2014年NIST不确定性分析学生奖得主

加利福尼亚大学Santa Barbara分校

  • r,“在悬挂MOS中的导热率的提取2拉曼光谱:“圣母大学顾问Huili Grace Xing

2013年第55号电子材料会议

巴黎圣母院大学

  • 马克·T·杜尼亚克,“LED应用的立方氮化镓模板”,顾问Christian Wetzel,Rensselaer
  • 本杰明梁在sio2衬底上生长GaN单晶2通过进化选择,“杰尔大学顾问Jung Han
  • 詹姆斯·莱利,“极地,非极性和SemipoLar Ingan量子井的原子探测断层扫描,”西北大学林肯岛士顾问

2012年第54号电子材料会议

宾夕法尼亚州立大学

  • 桑蒂诺卡内瓦酒店,“偏振诱导的宽带间隙纳米线与紫外线电致发光,”俄亥俄州州立大学悉让迈尔斯顾问
  • 哈里纳尔,“热退火诱导光学质量增强瓦斯基稀氮化物,”奥斯汀德克萨斯大学顾问
  • 克里斯托弗·莱里诺,“在(110)表面上的拉伸应变III-V量子点:形态和光学性质”,耶鲁大学顾问Minjoo Larry Lee

2011年53号电子材料会议

加利福尼亚大学Santa Barbara分校

  • 延梅凯蒂杨,“利用原子层沉积调节等离子体腔共振”,哈佛大学顾问Evelyn Hu
  • 约书亚夏皮罗“选择区域MOCVD生长的GaAs无催化剂纳米柱中InGaAs轴向插入物的结构表征”,洛杉矶加利福尼亚大学的顾问Diana Huffaker

2010年第52届电子材料会议

巴黎圣母院大学

  • Ashish Baraskar.,“原位欧姆联系到P-Ingaas,”顾问Mark Rodwell和Arthur Gossard,加利福尼亚大学圣巴巴拉
  • 安东尼赖斯,“MOCVD生长的同质外延AlN薄膜的形态发展”,北卡罗来纳州立大学顾问Zlatko Sitar
  • 詹姆斯·瑞雷,“GE-GE / CO / MN的脉冲激光原子探测断层分析”,“西北大学顾问林肯岛

2009年51号电子材料会议

宾夕法尼亚州立大学

  • 塞巴斯蒂安文森特,“基于储氢和扩散机制的界面结合缺陷的形成、演化和溶解研究”,格勒诺布尔理工学院顾问Hubert Renevier
  • 约翰西蒙,“偏振增强的P型电导率在等级的N-Face Algan Slabs中,”顾问Debdeep Jena,Notre Dame大学
  • 查尔斯布鲁克斯“宾夕法尼亚州立大学的分子束外延,”宾夕法尼亚州思想临界薄膜钛酸锶薄膜的生长和微观结构
  • Shriram Shivaraman.,“外延石墨烯微桥,”康奈尔大学迈克尔斯宾塞顾问

2008年第50届电子材料会议

加利福尼亚大学Santa Barbara分校

  • J. Pedrazzani.,“虚拟消除表面泄漏电流在未顺倒的IR光电探测器中,”Rochester大学顾问加里芯片

2007年49号电子材料会议

巴黎圣母院大学

  • 迈克尔·莫利,“格子工程为单片可见黄绿光发射器,”顾问Eugene A. Fitzgerald,马萨诸塞州理工学院
  • andrea corrion“高电子迁移率晶体管氨分子束外延生长6H-SiC GaN Buffer Layers的性质”,加利福尼亚大学的顾问吉姆·斯派克,Santa Barbara
  • Lee Modbacker.,“使用深度分辨阴极发光光谱法对ZnO上的本体本征点缺陷和金属反应性进行关联”,俄亥俄州立大学顾问Len Brillson

2006年第48届电子材料会议

宾夕法尼亚州立大学

  • Shadi Dayeh.OMVPE合成的InAs Nanowires的生长机理和优化,圣地亚哥加利福尼亚大学的顾问德丽望和Edward T. Yu
  • 内山yoder.,“研究用低温UHV-STM与半导体表面结合的有机分子的稳定性,”西北大学顾问标记C. Hersam
  • 陈晓东,“分子束外延过程中InGaN的直写复合图案化”,康奈尔大学顾问Lester Eastman

2005年47号电子材料会议

加利福尼亚大学Santa Barbara分校

  • 埃里克克拉努尔兰“无机材料表面的肽特异性的组成和语境影响”,“马萨诸塞州理工学院顾问Angela Belcher
  • Christiane Poblenz.“AlN形核层生长条件对分子束外延生长AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管缓冲区泄漏的影响”,加利福尼亚大学的顾问吉姆·斯派克,Santa Barbara
  • Nate Lainitoriano.,“GaAs上金属有机化学气相沉积生长的InP附近晶格常数上变质缓冲层的缺陷行为”,麻省理工学院顾问Gene Fitzgerald
  • 西德哈特·拉詹,“由MBE的C-Face SiC成长的N-Face Ga的结构和电气特性,”Santa Barbara大学加州大学

2004年46号电子材料会议

巴黎圣母院大学

  • 杰夫格里顿“GAMNAS薄膜点缺陷分布的纳米尺度研究”,密歇根大学顾问Rachel Goldman
  • 蒂霍米尔·古戈夫,“通过分子束外延生长的GaInNAs和GaInNaSb量子阱的透射电子显微镜结构表征”,斯坦福大学顾问Jim Harris
  • 杰西卡希尔顿GaAs(001)上超薄Mn膜的反应动力学、热力学和生长特性,明尼苏达大学顾问Chris Palmstrom
  • Vincenzo Lordi.,“斯坦福大学顾问Jim Harris左右1550 nm左右的Gainnassb量子井的电气制造和带边光学性质。

EMC_FUJIFILM DIMATIX.

Emc_northrop.

EMC_Taiyo

EMC_TMS.