学生奖得主

2021年第63届电子材料虚拟会议

• 水手长阿巴斯Roy-Layinde(海报)“使用InGaAs空气桥电池的热光伏转换的温度依赖性”，密歇根大学顾问Andrej Lenert

2020第62届电子材料虚拟会议

• 伊蒙·休斯“原子探针研究异质外延半导体中位错和界面的成分变化”，加利福尼亚大学的顾问Kunal Mukherjee，Santa Barbara

• Wenshen李“β-Ga2O3肖特基势垒二极管中近理想反向漏电流的观察及其对高电场工作的影响”，康奈尔大学导师Huili Grace Xing

• Evyn丰盛(海报)“提高设备质量_x遗传算法_{x - 1}N模板(0.07 < x < 0.10)用于光电应用，”北卡罗来纳州立大学顾问Nadia El-Masry和Salah Bedair
  
  
• Jennifer Selvidge加州大学圣巴巴拉分校的Kunal Mukherjee和John Bowers顾问说:“将有害的错配位错从InAs量子点激光在Si上的活动区域移走。

2020年NIST不确定性分析学生奖得主

• 帕拉山R格帕兰,“β-Ga2O3在太赫兹波段的各向异性介电常数，”犹他大学导师Berardi Sensale Rodriguez说
  

2019第61届电子材料大会

密歇根大学

• 冯子轩，“LPCVD生长Si掺杂β-Ga2O3薄膜具有优越的室温流动性”，指导老师赵宏平，俄亥俄州立大学
  
  
• Anisha卡尔拉，“Al0.40Ga0.60N基p-i-n紫外探测器的最高零偏压外部量子效率为88%，”顾问Digbijoy n.Nath和Srinivasan Raghavan，印度科学院纳米科学与工程中心（CeNSE）
  
  
• 马克斯·克内伊(海报)“κ-Ga的外延稳定₂O_3.和κ-（Al）_x遗传算法_1－x)₂O_3.“不同衬底上锡辅助PLD用于异质结构器件的薄膜”，Felix Bloch固体物理研究所物理与地球科学学院的Marius Grundmann和Holger von Wenckstern顾问，Universität Leipzig
  
  
• 德巴希亚萨卡酒店“使用Epitaxial和非外延方法相结合，直接生长晶体III与非晶电介质”，Rehan Kapadia教授，南加州大学

2018第60届电子材料大会

加利福尼亚大学Santa Barbara分校

• 布莱恩·海德特“利用电子沟道对比成像直接观察GaAs/Si薄膜中复合增强位错滑移”，导师Kunal Mukherjee，加州大学圣巴巴拉分校

• Anisha卡尔拉(海报)“高响应外延β-Ga的演示₂O_3./GaN金属-异质结-金属(MHM)宽带UV-A/UV-C探测器，”印度科学院纳米科学与工程中心的Digbijoy N. Nath和Srinivasan Raghavan顾问

• 凯尔·麦克尼古拉斯得克萨斯大学奥斯汀分校的顾问塞思Bank：“硅上无应变发光层的BGaAs/GaP异质外延”

2018年NIST不确定性分析学生奖得主

加利福尼亚大学Santa Barbara分校

• Jimy Encomendero，“共振隧穿传输作为iii -氮化物隧穿异质结构内部极化场的灵敏测量”，Huili Grace Xing，康奈尔大学导师

2017第59届电子材料大会

圣母大学

• 名叫Akanksha古普塔“基于脂膜和氧化锌薄膜晶体管的生物传感器”，宾夕法尼亚州立大学的顾问Esther Gomez和Thomas Jackson说
  
• Kamyar艾哈迈迪Majlan,“直接集成在Si上的相关氧化物异质结构的厚度依赖金属-绝缘体过渡”，顾问Joseph H. Ngai，德克萨斯大学阿灵顿分校

2017 NIST不确定性分析学生奖获得者

圣母大学

• 罗伯特轮，“Bulk GaN的热导率”，北卡罗莱纳州立大学顾问Zlatko Sitar

2016年第58届电子材料大会

特拉华大学

• 科里·c·bomberg，“外延嵌入GaBiAs内的ErAs纳米粒子的生长和表征”，导师Joshua Zide，特拉华大学
  
  
• 丹尼尔·艾恩赛德“III-V族稀土单光子纳米结构在高光学质量应用中的最佳集成”，得克萨斯大学奥斯汀分校顾问塞思银行
  
  
• 杰弗里·e·普，“通过调节分子-分子、分子-底物和分子-溶剂相互作用，穿越核心氯化萘二亚胺的多晶景观”，普林斯顿大学顾问Lin Loo
  
  
• Lei张，“指间背接触硅异质结太阳能电池间隙钝化的界面缺陷密度与材料界面电荷的比较”，导师Steven Hegedus，特拉华大学

2016 NIST不确定性分析学生奖获得者

特拉华大学

• 乔纳森·马里尼纽约州立理工学院教授Fatemeh (Shadi) shahedipoure - sandvik，“脉冲MOCVD生长n -极性p-GaN中Mg掺杂剂的掺入效率”

2015年第57届电子材料大会

俄亥俄州立大学

• 蓝宇伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校的顾问丹尼尔·瓦色尔曼(Daniel Wasserman)说，“在InAs(Sb)上的In(Ga)Sb层的中红外发射”
• 张曾，“通过氨基分子束外延和金属有机化学气相沉积生长的p型GaN中的深能级态”，俄亥俄州立大学顾问Steve Ringel
  

2015年NIST不确定性分析学生奖得主

俄亥俄州立大学

• 凯瑟琳·克拉夫·布托，“p型和n型4H-SiC钨镍同时欧姆接触的特性”，宾夕法尼亚州立大学顾问Suzanne Mohney

2014第56届电子材料大会

加利福尼亚大学Santa Barbara分校

• 艾伦·刘“在硅上外延生长GaAs基激光器的记录寿命”，加利福尼亚大学顾问John Bowers和阿特加索德，加利福尼亚大学，Santa Barbara
• 斯科特·马多克斯“生长速率、衬底温度和双表面活性剂对分子束外延生长的InAs：Si掺杂限制的影响”，德克萨斯大学奥斯丁分校的顾问塞思银行
• 凯文·舒尔特威斯康辛大学麦迪逊分校顾问Thomas Kuech，“控制氢化物气相外延生长n-GaAs层中EL2掺入的关键因素”

2014年NIST不确定性分析学生奖得主

加利福尼亚大学Santa Barbara分校

• Rusen严“悬浮金属氧化物中热导率的提取”₂拉曼光谱：“圣母大学顾问Huili Grace Xing

2013第55届电子材料大会

圣母大学

• 马克·t·Durniak，“LED应用的立方氮化镓模板”，顾问Christian Wetzel，Rensselaer
• 本杰明梁在sio2衬底上生长GaN单晶₂耶鲁大学的顾问Jung Han说
• 詹姆斯·r·莱利，“在量子阱中极、非极和半极的原子探针断层扫描”，西北大学导师林肯·劳洪

2012第54届电子材料大会

宾夕法尼亚州立大学

• 桑蒂诺卡内瓦酒店，“紫外电致发光宽带隙纳米线极化诱导pn二极管”，俄亥俄州立大学导师Roberto Myers
• 哈奈尔，“热退火诱导gasb基稀释氮化物的光学质量增强”，顾问Seth Bank，得克萨斯大学奥斯汀分校
• 克里斯托弗Yerino，“在（110）表面上的拉伸应变III-V量子点：形态和光学性质”，耶鲁大学顾问Minjoo Larry Lee

2011第53届电子材料大会

加利福尼亚大学Santa Barbara分校

• 杨洁，“利用原子层沉积调节等离子体腔共振”，哈佛大学顾问Evelyn Hu
• 约书亚·夏皮罗，“选择性区域MOCVD生长的GaAs无催化剂纳米柱中InGaAs轴向插入物的结构表征”，顾问Diana Huffaker，加州大学洛杉矶分校

2010第52届电子材料大会

圣母大学

• 阿施施Baraskar加州大学圣巴巴拉分校的Mark Rodwell和Arthur Gossard顾问，“在原位欧姆接触到p-InGaAs”
• 安东尼大米，“MOCVD生长的同质外延AlN薄膜的形态发展”，北卡罗来纳州立大学顾问Zlatko Sitar
• 詹姆斯·莱利，“Ge-Ge/Co/Mn的脉冲激光原子探针层析分析”，西北大学导师Lincoln Lauhon

2009第51届电子材料大会

宾夕法尼亚州立大学

• Sebastien文森特，“基于氢储存和扩散机制的界面结合缺陷的形成、演变和溶解研究”，指导教授Hubert Renevier，格勒诺布尔理工学院
• 约翰西蒙“渐变N面AlGaN板的极化增强p型导电性”，圣母大学顾问Debdeep Jena
• 查尔斯·布鲁克斯分子束外延的同质钛酸锶薄膜的生长和微观结构，宾夕法尼亚州立大学顾问Darrell Schlom
• Shriram Shivaraman，“外延石墨烯微桥”，导师Michael Spencer，康奈尔大学

2008第50届电子材料大会

加利福尼亚大学Santa Barbara分校

• j . Pedrazzani，“未钝化红外光电探测器表面泄漏电流的虚拟消除”，罗彻斯特大学导师Gary Wicks

2007第49届电子材料大会

圣母大学

• 迈克尔森，“单片可见黄绿光发射器的晶格工程”，麻省理工学院顾问Eugene A.Fitzgerald
• 安德里亚Corrion“高电子迁移率晶体管氨分子束外延生长6H-SiC GaN Buffer Layers的性质”，加利福尼亚大学的顾问吉姆·斯派克，Santa Barbara
• 李Mosbacker，“使用深度分辨阴极发光光谱法对ZnO上的本体本征点缺陷和金属反应性进行关联”，俄亥俄州立大学顾问Len Brillson

2006第48届电子材料大会

宾夕法尼亚州立大学

• 沙迪达耶OMVPE合成的InAs Nanowires的生长机理和优化，圣地亚哥加利福尼亚大学的顾问德丽望和Edward T. Yu
• 内森Yoder)，“用低温UHV-STM研究与半导体表面结合的有机分子的稳定性”，西北大学导师Mark C. Hersam
• 陈晓东，“分子束外延过程中InGaN的直写复合图案化”，康奈尔大学顾问Lester Eastman

2005第47届电子材料会议

加利福尼亚大学Santa Barbara分校

• Eric Krauland，“无机材料表面肽特异性的组成和环境影响”，导师Angela Belcher，麻省理工学院
• 克丽丝汀Poblenz“AlN形核层生长条件对分子束外延生长AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管缓冲区泄漏的影响”，加利福尼亚大学的顾问吉姆·斯派克，Santa Barbara
• 内特基托里亚诺，“GaAs上金属有机化学气相沉积生长的InP附近晶格常数上变质缓冲层的缺陷行为”，麻省理工学院顾问Gene Fitzgerald
• 哈斯拉詹，“MBE在c面SiC上生长n面GaN的结构和电学特性”，导师Umesh Mishra，加州大学圣巴巴拉分校

2004第46届电子材料大会

圣母大学

• 杰夫·格里森“GAMNAS薄膜点缺陷分布的纳米尺度研究”，密歇根大学顾问Rachel Goldman
• 蒂霍米尔·古戈夫，“通过分子束外延生长的GaInNAs和GaInNaSb量子阱的透射电子显微镜结构表征”，斯坦福大学顾问Jim Harris
• 杰西卡·希尔顿GaAs（001）上超薄Mn膜的反应动力学、热力学和生长特性，明尼苏达大学顾问Chris Palmstrom
• Vincenzo Lordi，“1550 nm左右的GaInNAsSb量子阱的电吸收和带边光学特性”，斯坦福大学导师Jim Harris