学生奖得主

2021年第63届电子材料虚拟会议

  • 博桑·阿巴斯·罗伊·莱因德(海报)“使用InGaAs空气桥电池的热光电转换的温度依赖性”,Andrej Lenert顾问,密歇根大学

2020第62届电子材料虚拟会议

  • 埃蒙休斯,“通过原子探针研究异质外延半导体中位错和界面的组成变化”,导师Kunal Mukherjee,加州大学圣巴巴拉分校

  • Wenshen李“β-Ga2O3肖特基势垒二极管中近理想反向漏电流的观察及其对高电场工作的影响”,康奈尔大学导师Huili Grace Xing

  • Evyn丰盛,(海报)“中国的设备质量”xGax - 1N光电应用模板(0.07〈x〈0.10),“北卡罗来纳州立大学顾问Nadia El-Masry和Salah Bedair

  • 珍妮弗·塞尔维奇,“从Si上的InAs量子点激光器的有源区移走有害的失配位错,”加利福尼亚大学的顾问Kunal Mukherjee和John Bowers,Santa Barbara

2020年NIST不确定性分析学生奖得主

  • 帕拉山R格帕兰,“β-Ga2O3在太赫兹波段的各向异性介电常数,”犹他大学导师Berardi Sensale Rodriguez说

2019年第61届电子材料大会

密歇根大学

  • 冯子轩,“LPCVD生长Si掺杂β-Ga2O3薄膜具有优越的室温流动性”,指导老师赵宏平,俄亥俄州立大学

  • 安妮莎·卡拉印度科学院纳米科学与工程中心(CeNSE)的Digbijoy N. Nath和Srinivasan Raghavan顾问,“基于al0.40 ga0.60 n的p-i-n紫外探测器的88%的创纪录高零偏外部量子效率”

  • 马克斯·克内伊,(海报)“κ-Ga的外延稳定化2O3.和κ-(Al)xGa1-x2O3.Tin辅助PLD在不同衬底上应用于异质结构器件的薄膜,”顾问Marius Grundmann和Holger von Wenckstern,莱比锡大学物理与地球科学学院,Felix Bloch固态物理研究所

  • Debarghya Sarkar,“结合外延和非外延方法在非晶介质上直接生长晶体III-Vs”,顾问Rehan Kapadia,南加州大学

2018年第60届电子材料大会

加利福尼亚大学Santa Barbara分校

  • 布莱恩·海德特利用电子沟道对比成像直接观察GaAs/Si薄膜复合强化位错滑移,加利福尼亚大学Kunal Mukherjee顾问Santa Barbara
  • 安妮莎·卡拉,(海报)“高响应度外延β-Ga的演示2O3./GaN金属-异质结-金属(MHM)宽带UV-A/UV-C探测器,”印度科学院纳米科学与工程中心的Digbijoy N. Nath和Srinivasan Raghavan顾问
  • 凯尔McNicholas得克萨斯大学奥斯汀分校的顾问塞思Bank:“硅上无应变发光层的BGaAs/GaP异质外延”

2018年NIST不确定性分析学生奖得主

加利福尼亚大学Santa Barbara分校

  • 吉米·安科门德罗,“共振隧穿输运作为III型氮化物隧穿异质结构内部极化场的灵敏测量,”康奈尔大学顾问Huili Grace Xing

2017第59届电子材料大会

圣母大学

  • 阿肯沙·古普塔,“基于脂膜和氧化锌薄膜晶体管的生物传感器,”宾夕法尼亚州立大学的艾斯特·戈麦斯和托马斯·杰克逊顾问
  • 卡米尔·艾哈迈迪·马杰兰,“直接依赖Si的相关氧化物异质结构的厚度依赖的金属-绝缘体转变”,德州大学阿灵顿分校的顾问Joseph H. Ngai

2017 NIST不确定性分析学生奖获得者

圣母大学

  • 罗伯特·哈恩斯,“大块GaN的导热性”,北卡罗莱纳州立大学顾问Zlatko Sitar

2016第58届电子材料大会

德拉瓦大学

  • 科里·c·bomberg,“外延嵌入GaBiAs内的ErAs纳米粒子的生长和表征”,导师Joshua Zide,特拉华大学

  • 丹尼尔·艾恩赛德,“高光学质量应用III-V中稀土单核苷酸纳米结构的优化集成”,顾问Seth Bank,德克萨斯大学奥斯汀分校

  • 杰弗里·普杜姆,“通过调节分子-分子、分子-底物和分子-溶剂相互作用,穿越核心氯代萘二亚胺的多态景观”,导师Lin Loo,普林斯顿大学

  • 张磊“交指背接触硅异质结太阳能电池GaP钝化的界面缺陷密度与材料界面电荷的比较”,德拉瓦大学顾问Steven Hegedus

2016 NIST不确定性分析学生奖获得者

德拉瓦大学

  • 乔纳森·马里尼,“N极性p-GaN脉冲MOCVD生长中的Mg掺杂效率”,SUNY理工学院顾问Fatemeh(Shadi)Shahedipour Sandvik

2015年第57届电子材料大会

俄亥俄州立大学

  • 蓝宇伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校的顾问丹尼尔·瓦色尔曼(Daniel Wasserman)说,“在InAs(Sb)上的In(Ga)Sb层的中红外发射”
  • 曾章,“由氨基分子束外延和金属有机化学气相沉积生长的p型氮化镓的深层能级”,俄亥俄州立大学导师Steve Ringel

2015年NIST不确定性分析学生奖得主

俄亥俄州立大学

  • 凯瑟琳Kragh-Buetow,“p型和n型4H-SiC的钨镍同步欧姆接触的表征”,宾夕法尼亚州立大学顾问Suzanne Mohney

2014年第56届电子材料大会

加利福尼亚大学Santa Barbara分校

  • 刘祥德加州大学圣巴巴拉分校的约翰·鲍尔斯和阿特·戈萨德顾问,“硅上外延生长GaAs基激光器的创纪录寿命”
  • 斯科特·马多克斯“生长速率、衬底温度和双表面活性剂对分子束外延生长的InAs:Si掺杂限制的影响”,德克萨斯大学奥斯丁分校的顾问塞思银行
  • 凯文·舒尔特“控制氢化物气相外延生长的N-GaAs层中Er2掺入的关键因素”,威斯康星大学麦迪逊分校的顾问Thomas Kuech

2014年NIST不确定性分析学生奖得主

加利福尼亚大学Santa Barbara分校

  • 严如新,“悬浮MoS中热导率的提取2拉曼光谱:“圣母大学顾问Huili Grace Xing

2013年第55届电子材料大会

圣母大学

  • 马克·T·杜尼亚克,“LED应用的立方氮化镓模板”,顾问Christian Wetzel,Rensselaer
  • 梁家杰单晶氮化镓在SiO上的生长2通过进化选择,”耶鲁大学顾问郑汉
  • 詹姆斯·r·莱利,“极性、非极性和半极性InGaN量子阱的原子探针层析成像”,西北大学顾问Lincoln Lauhon

2012年第54届电子材料大会

宾夕法尼亚州立大学

  • 桑蒂诺卡内瓦酒店,“具有紫外电致发光的宽带隙纳米线中的偏振诱导pn二极管”,俄亥俄州立大学顾问Roberto Myers
  • 哈奈尔“在GaSb基稀氮化物中热退火引起的光学质量增强”,德克萨斯大学奥斯丁分校的顾问塞思银行
  • 克里斯托弗Yerino,“在(110)表面上的拉伸应变III-V量子点:形态和光学性质”,耶鲁大学顾问Minjoo Larry Lee

2011第53届电子材料大会

加利福尼亚大学Santa Barbara分校

  • 杨艳梅,“利用原子层沉积调节等离子体腔共振”,哈佛大学顾问Evelyn Hu
  • 约书亚·夏皮罗“选择区域MOCVD生长的GaAs无催化剂纳米柱中InGaAs轴向插入物的结构表征”,洛杉矶加利福尼亚大学的顾问Diana Huffaker

2010第52届电子材料大会

圣母大学

  • 阿什·巴拉斯卡加州大学圣巴巴拉分校的Mark Rodwell和Arthur Gossard顾问,“在原位欧姆接触到p-InGaAs”
  • 安东尼大米,“MOCVD生长的同质外延AlN薄膜的形态发展”,顾问Zlatko Sitar,北卡罗莱纳州立大学
  • 詹姆斯·瑞雷,“Ge/Co/Mn的脉冲激光原子探针层析分析”,顾问Lincoln Lauhon,西北大学

2009年第51届电子材料大会

宾夕法尼亚州立大学

  • Sebastien文森特,“基于储氢和扩散机制的界面结合缺陷的形成、演化和溶解研究”,格勒诺布尔理工学院顾问Hubert Renevier
  • 约翰·西蒙,“极化增强的p型电导率在梯度n面AlGaN板”,顾问Debdeep Jena,美国诺特丹大学
  • 查尔斯·布鲁克斯,“用分子束外延法生长同质外延钛酸锶薄膜及其微观结构”,宾夕法尼亚州立大学顾问Darrell Schlom
  • 希瓦拉曼酒店,“外延石墨烯微桥”,康奈尔大学顾问迈克尔·斯宾塞

2008年第50届电子材料大会

加利福尼亚大学Santa Barbara分校

  • 佩德拉扎尼“未钝化红外探测器的表面漏电流的虚拟消除”,罗切斯特大学顾问Gary Wicks

2007年第49届电子材料大会

圣母大学

  • 迈克尔森,“单片可见黄绿光发射器的格子工程”,导师Eugene A. Fitzgerald,麻省理工学院
  • 安德里亚·科里恩,“高电子迁移率晶体管用氨分子束外延生长6H-SiC上氮化镓缓冲层的特性”,导师Jim Speck,加州大学圣巴巴拉分校
  • 李Mosbacker,“深度分辨阴极发光光谱法研究ZnO上的本体缺陷和金属反应性”,导师Len Brillson,俄亥俄州立大学

2006年第48届电子材料会议

宾夕法尼亚州立大学

  • Shadi DayehOMVPE合成的InAs Nanowires的生长机理和优化,圣地亚哥加利福尼亚大学的顾问德丽望和Edward T. Yu
  • 内森·尤德,“用低温UHV-STM研究与半导体表面结合的有机分子的稳定性”,西北大学顾问Mark C.Hersam
  • 陈晓东,“分子束外延过程中InGaN的直写复合图案化”,康奈尔大学顾问Lester Eastman

2005年第47届电子材料会议

加利福尼亚大学Santa Barbara分校

  • 埃里克·克劳兰,“无机材料表面肽特异性的组成和环境影响”,导师Angela Belcher,麻省理工学院
  • 克里斯蒂安·波布伦茨“AlN形核层生长条件对分子束外延生长AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管缓冲区泄漏的影响”,加利福尼亚大学的顾问吉姆·斯派克,Santa Barbara
  • 内特基托里亚诺,“GaAs上金属有机化学气相沉积生长的InP附近晶格常数上变质缓冲层的缺陷行为”,麻省理工学院顾问Gene Fitzgerald
  • 西德哈特·拉詹“MBE生长在C面SiC上生长的n面GaN的结构和电学性质”,加利福尼亚大学的顾问Umesh Mishra,Santa Barbara

2004年第46届电子材料会议

圣母大学

  • 杰夫·格里森“GAMNAS薄膜点缺陷分布的纳米尺度研究”,密歇根大学顾问Rachel Goldman
  • Tihomir Gugov,“通过分子束外延生长的GaInNAs和GaInNaSb量子阱的透射电子显微镜结构表征”,斯坦福大学顾问Jim Harris
  • 杰西卡·希尔顿,“GaAs上超薄Mn薄膜的反应动力学、热力学和生长特性(001)”,明尼苏达大学导师Chris Palmstrom
  • 文琴佐·洛迪,“1550 nm左右GaInNaSb量子阱的电吸收和带边光学特性”,斯坦福大学顾问Jim Harris