全体会议和特邀发言者

大会报告

大野英雄，东北大学
自旋电子学器件可扩展到一位数nm及以上

周大伟，英特尔公司
摩尔定律延续与超越的工艺与包装技术研发

詹姆斯·斯派克加利福尼亚大学，Santa Barbara
揭示氮化镓发光二极管的内部工作：了解非辐射过程并实现100%的效率

特邀发言者

• 约尔格·阿彭策勒，普渡大学
  使用概率比特的概率自旋逻辑–p比特
  
  
• 凯尔森沙巴克酒店，空军研究实验室
  面向快速功率开关的横向氧化镓晶体管
  
  
• 张若瑟，诺斯罗普·格鲁曼公司
  用于高功率密度、高能效射频放大的超晶格蜂窝场效应晶体管（SLCFET）的研究进展
  
  
• 金正焕，麻省理工学院
  
  
• 托马斯·帕拉西奥斯，麻省理工学院
  
  
• 王建平明尼苏达大学
  
  
• 山口裕太郎，三菱电机公司
  功率放大器的毫米波GaN-HEMT模型
  
  
• 杨志卿麻州大学阿默斯特分校
  用于非常规计算的忆阻材料和器件
  
  
• 余世孟，佐治亚理工学院
  存储器中计算用铁电器件：阵列级操作