大会报告
弗雷德·鲁泽布姆，埃因霍温科技大学和TNO-霍尔斯特中心
半个世纪以来热退火技术的发展及展望
Wakabayashi Hitoshi，东京理工学院
十一月el工艺和设备，包括2D材料
特邀发言者
特梅尔·布尤克利曼利，EAG实验室
注入计量学综述
克里斯蒂亚诺酒店，系统分析和体系结构实验室
Si、Ge和SiGe中的注入/退火模拟与缺陷演化
雷达菲，廷德尔国家研究所
沉积层作为三维共形应用的掺杂源
奥列格·格鲁申科夫，IBM研究院/奥尔巴尼纳米技术公司
兴奋剂和FinFET、触点和材料改性的激光退火应用
黄杰客，英特尔公司
闪光退火
卢贝克·贾斯特泽布斯基，半实验室
DPLI（缺陷光致发光成像）用于监测离子注入和退火过程中的缺陷形成
迪迪埃·兰德鲁，Soitec
智能切割、FD-SOI和集成挑战
罗伯塔·尼波蒂，Consiglio Nazonale delle Ricerche微电子和微系统研究所（CNR-IMM Bologna）
SiC植入与退火
亚历山大·谢伊特，IHP解决方案有限公司
全球最快SiGe HBT的快速退火
Kyoichi Suguro，卡利特控股有限公司
退火概述
Tabata Toshiyuki，欧洲激光系统与解决方案
Si/SiGe中掺杂剂的激光退火活化
郝宇，imec
CMOS的高级触点