全体人
弗雷德Roozeboom，埃因霍温理工大学和TNO - Holst中心
过去半个世纪热退火技术的发展与展望
仁若林史江，东京工业大学
11月el过程和设备，包括2D材料
邀请演讲者
Temel Buyuklimanli、坚毅不屈实验室
植入计量学综述
Fuccio克里斯蒂亚诺，系统分析和体系结构实验室
Si, Ge和SiGe中植入/退火模拟与缺陷演化
雷达菲廷德尔国家研究所
沉积层作为掺杂源用于3D共形应用
奥列格GluschenkovIBM研究/奥尔巴尼纳米技术公司
兴奋剂,激光退火在finfet，触点和材料改性中的应用
杰克黄英特尔公司
Flash退火
Lubek声称, Semilab
DPLI(缺陷光致发光成像)监测离子注入和退火过程中的缺陷形成
迪迪埃Landru, Soitec
Smart Cut, FD-SOI和集成挑战
罗伯塔Nipoti法国微电子与微系统研究所(CNR-IMM)
SiC植入和退火
亚历山大ScheitIHP Solutions GmbH
闪光退火全球最快的SiGe HBT
Kyoichi SuguroCarlit控股
退火概述
Toshiyuki Tabata，欧洲激光系统与解决方案
Si/SiGe中掺杂剂的激光退火活化
郝于, imec
CMOS高级触点