大会报告
弗雷德·鲁泽布姆,埃因霍温科技大学和TNO-霍尔斯特中心
半个世纪以来热退火技术的发展及展望
Wakabayashi Hitoshi,东京理工学院
十一月el工艺和设备,包括2D材料
特邀发言者
特梅尔·布尤克利曼利,EAG实验室
注入计量学综述
克里斯蒂亚诺酒店,系统分析和体系结构实验室
Si、Ge和SiGe中的注入/退火模拟与缺陷演化
雷达菲,廷德尔国家研究所
沉积层作为三维共形应用的掺杂源
奥列格·格鲁申科夫,IBM研究院/奥尔巴尼纳米技术公司
兴奋剂和FinFET、触点和材料改性的激光退火应用
黄杰客,英特尔公司
闪光退火
卢贝克·贾斯特泽布斯基,半实验室
DPLI(缺陷光致发光成像)用于监测离子注入和退火过程中的缺陷形成
迪迪埃·兰德鲁,Soitec
智能切割、FD-SOI和集成挑战
罗伯塔·尼波蒂,Consiglio Nazonale delle Ricerche微电子和微系统研究所(CNR-IMM Bologna)
SiC植入与退火
亚历山大·谢伊特,IHP解决方案有限公司
全球最快SiGe HBT的快速退火
Kyoichi Suguro,卡利特控股有限公司
退火概述
Tabata Toshiyuki,欧洲激光系统与解决方案
Si/SiGe中掺杂剂的激光退火活化
郝宇,imec
CMOS的高级触点